生成式AI浪潮不僅為AI芯片帶來巨大成長后勁，對存儲領(lǐng)域也是如此。

　　存儲巨頭已經(jīng)陸續(xù)開啟了業(yè)績上漲趨勢。7月31日，三星發(fā)布二季度財報顯示，期內(nèi)實現(xiàn)銷售額74.07萬億韓元，同比增長23%、環(huán)比增長3%；凈利潤9.84萬億韓元，同比大增472%、環(huán)比增長46%。

　　從具體業(yè)務(wù)增速來看，表現(xiàn)最為亮眼的無疑是存儲類目。二季度存儲業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收21.74萬億韓元，同比增長142%、環(huán)比增長24%。

　　21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者梳理發(fā)現(xiàn)，三星在2023年二季度存儲業(yè)務(wù)收入環(huán)比開始微漲1%，但同比表現(xiàn)仍在大幅下滑。直到今年一季度開始，存儲業(yè)務(wù)終于同比和環(huán)比均實現(xiàn)收入增長。

　　這背后是以三星為代表的存儲上游供應(yīng)商持續(xù)減產(chǎn)，加速推進行業(yè)供需關(guān)系改善；AI浪潮出現(xiàn)則進一步推進以HBM（高帶寬內(nèi)存）為代表的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）類型產(chǎn)品快速恢復(fù)發(fā)展。

　　展望下半年，在業(yè)績交流過程中三星高管表示，預(yù)計由于AI領(lǐng)域的持續(xù)投資，服務(wù)器AI對HBM、DDR5和SSD（固態(tài)硬盤）等服務(wù)器產(chǎn)品的需求將保持強勁。

　　不過縱觀大類存儲市場，NAND（閃存）市場的增勢則相對沒那么激進。有第三方機構(gòu)也指出，考慮到全球消費類市場的復(fù)蘇進程相對溫和，部分存儲產(chǎn)品單價上漲進程可能有所放緩。

　　在持續(xù)遭遇虧損之后，今年一季度開始三星的存儲業(yè)務(wù)終于扭虧，到二季度盈利能力在快速提升。

　　財報顯示，三星二季度整體半導(dǎo)體業(yè)務(wù)所在DS部門經(jīng)營利潤為6.45萬億韓元，環(huán)比增長237.7%，同比大幅扭虧（上年二季度為虧損4.36萬億韓元）。雖然未具體披露存儲業(yè)務(wù)經(jīng)營利潤，但考慮到從營收角度看，存儲業(yè)務(wù)占整體DS部門收入比重的76%，此番盈利表現(xiàn)應(yīng)有較大比重也來自存儲業(yè)務(wù)復(fù)蘇。

　　公司高管指出，由于HBM、DDR5以及其他針對AI的高附加值產(chǎn)品銷售增長，加上整體價格提升，推動本季度存儲業(yè)務(wù)收益顯著增加。

　　除了HBM受益，傳統(tǒng)的DRAM和SSD都迎來了強勁需求。

　　展望下半年，三星方面預(yù)計，AI服務(wù)器引發(fā)的相關(guān)存儲產(chǎn)品需求將持續(xù)強勁，但HBM和服務(wù)器DRAM的生產(chǎn)和銷售增長可能會進一步限制傳統(tǒng)DRAM和NAND產(chǎn)品的比特供應(yīng)量。三星將為服務(wù)器、PC和移動設(shè)備等所有應(yīng)用優(yōu)化QLC產(chǎn)品線，并擴大針對AI服務(wù)器的SSD銷售。

　　根據(jù)業(yè)績會上釋放的消息，在資本開支方面，三星方面指出，二季度DS部門資本支出為9.9萬億韓元，同比減少26.67%，環(huán)比增長2.06%。為了應(yīng)對AI熱潮帶動存儲芯片需求提升，三星決定重啟新平澤工廠（P5）基礎(chǔ)建設(shè)，預(yù)計最快將于三季度重啟建設(shè)，完工時間推估為2027年4月。

　　不過21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者梳理多家大廠財報發(fā)現(xiàn)，存儲器產(chǎn)品客單價持續(xù)快速上漲的行情或許將有所放緩。

　　例如根據(jù)另一家大廠SK海力士披露，在2023年四季度，公司DRAM的ASP環(huán)比以高雙位數(shù)（15%-19%）百分比速度增長、NAND的ASP漲幅超過40%。2024年一季度，DRAM單價環(huán)比上漲超過20%、NAND單價環(huán)比上漲超過30%。到了第二季度，DRAM單價環(huán)比上漲中雙位數(shù)百分比（15%左右）、NAND單價環(huán)比漲幅中高雙位數(shù)百分比（15%-19%）。

　　這本質(zhì)上因為，在下游終端需求還未出現(xiàn)旺盛恢復(fù)局面的背景下，持續(xù)快速上漲存儲器，必然也將抑制終端側(cè)需求。

　　第三方機構(gòu)閃存市場就認為，SK海力士預(yù)計三季度DRAM Bit出貨量環(huán)比低個位數(shù)增長，NAND Bit出貨量環(huán)比中個位數(shù)減少，原廠接下來的業(yè)績壓力可見一斑。

　　從具體價格行情看，該機構(gòu)指出，目前存儲現(xiàn)貨行情整體在平穩(wěn)筑底階段，7月已過但市場需求和價格未見明顯波動。在市場監(jiān)管趨嚴(yán)狀態(tài)下，渠道市場逐漸擺脫打“價格戰(zhàn)”的困境，有助于渠道市場價格重新回歸理性，但短期市場需求再度受到不確定因素干擾，現(xiàn)階段市場需求十分清淡。行業(yè)市場因終端需求寡淡整體成交乏力，本周存儲現(xiàn)貨價格整體維持不變。

　　閃存市場指出，下半年存儲行情增長相較上半年已經(jīng)明顯收窄，也意味著下游存儲廠商下半年面臨的挑戰(zhàn)加大。一方面，原廠NAND晶圓供應(yīng)持續(xù)緊張，低價庫存逐漸減少，另一方面，需求面尚未感受到顯著復(fù)蘇。存儲廠商們將如何化解供應(yīng)與需求的矛盾值得關(guān)注。

　　不過在消費類市場之外，AI需求必然成為當(dāng)下存儲行業(yè)一種重要支撐力量。

　　TrendForce集邦咨詢分析指出，受惠于位元需求成長、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價格，加上HBM等高附加價值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%，營收將創(chuàng)歷史新高，并且推動資本支出回溫、帶動上游原料需求，只是存儲器買方成本壓力將隨之上升。