AI 正推動(dòng)先進(jìn)工藝產(chǎn)能顯著擴(kuò)張，同時(shí)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正致力于提升算力芯片的國(guó)產(chǎn)化率。當(dāng)前國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商高端新品持續(xù)突破，量產(chǎn)規(guī)模不斷增加，在自主可控的強(qiáng)需求下有望迎來新一輪結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。　　中微公司預(yù)計(jì)25H1 營(yíng)收約49.61 億元，同比增長(zhǎng)約43.88%，其中刻蝕設(shè)備收入增長(zhǎng)約40.12%達(dá)37.81 億元，LPCVD 薄膜設(shè)備收入增長(zhǎng)約608.19%達(dá)1.99 億元；歸母凈利潤(rùn)6.8-7.3 億元，同比增長(zhǎng)31.61%-41.28%；扣非歸母凈利潤(rùn)5.1-5.6 億元，同比增長(zhǎng)5.54%-15.89%；毛利率約39.84%。單季度看，預(yù)計(jì)25Q2 營(yíng)收約27.87 億元，同比增長(zhǎng)約51.26%，環(huán)比增長(zhǎng)約28.24%；歸母凈利潤(rùn)3.67-4.17 億元，同比增長(zhǎng)37.14%-55.82%，環(huán)比增長(zhǎng)17.20%-33.17%；扣非歸母凈利潤(rùn)2.12-2.62 億元，同比增長(zhǎng)-3.90%-18.80%，環(huán)比減少12.27%-29.03%，主要系對(duì)外股權(quán)投資產(chǎn)生公允價(jià)值變動(dòng)收益和投資收益同環(huán)比均有所增長(zhǎng)。　　拓荊科技預(yù)計(jì)25Q2 營(yíng)收12.1-12.6 億元，同比增長(zhǎng)52%-58%，環(huán)比增長(zhǎng)71%-78%；歸母凈利潤(rùn)2.38-2.47 億元，同比增長(zhǎng)101%-108%，環(huán)比增長(zhǎng)3.85-3.94 億元；扣非歸母凈利潤(rùn)2.15-2.24 億元，同比增長(zhǎng)235%-249%，環(huán)比增長(zhǎng)3.95-4.04 億元。利潤(rùn)同環(huán)比均大幅增長(zhǎng)主要系1）新產(chǎn)品驗(yàn)證機(jī)臺(tái)完成技術(shù)導(dǎo)入并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破和持續(xù)優(yōu)化，25Q2 毛利率環(huán)比大幅改善，呈現(xiàn)穩(wěn)步回升態(tài)勢(shì)；2）期間費(fèi)用率同比下降，規(guī)模效應(yīng)進(jìn)一步釋放利潤(rùn)空間。　　高端新品量產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，先進(jìn)工藝擴(kuò)產(chǎn)需求旺盛：中微公司表示公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，在先進(jìn)邏輯器件和先進(jìn)存儲(chǔ)器件中多種關(guān)鍵刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。　　中微公司LPCVD 薄膜設(shè)備可滿足先進(jìn)邏輯器件、DRAM 和3D NAND 中接觸孔以及金屬鎢線的填充應(yīng)用需求，25H1 收入增長(zhǎng)約608.19%達(dá)1.99 億元，加速放量。拓荊科技先進(jìn)制程的驗(yàn)證機(jī)臺(tái)已順利通過客戶認(rèn)證，逐步進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)階段。基于新型設(shè)備平臺(tái)（PF-300T Plus 和PF-300M）和新型反應(yīng)腔（pX 和Supra-D）的PECVD Stack（ONO 疊層）、ACHM 及PECVD Bianca 等先進(jìn)工藝設(shè)備，陸續(xù)通過客戶驗(yàn)收，量產(chǎn)規(guī)模不斷增加；ALD 設(shè)備25Q2 收入超2024 全年收入。拓荊科技PE-ALD 設(shè)備高溫、低溫、高質(zhì)量SiO2、SiN、SiCO 等介質(zhì)薄膜工藝設(shè)備均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于芯片填孔（Gapfill）、側(cè)墻（Spacer）、襯墊層（Liner）等工藝中，Thermal-ALD Al2O3、AlN 等工藝設(shè)備持續(xù)出貨至客戶端。　　根據(jù)SEMI 數(shù)據(jù)，全球7nm 及以下先進(jìn)工藝月產(chǎn)能預(yù)計(jì)從2024 年的85 萬片增長(zhǎng)至2028 年的140 萬片，CAGR 約為14%，是行業(yè)平均水平的兩倍；2nm及以下工藝月產(chǎn)能將從2025 年的不足20 萬片快速增長(zhǎng)到2028 年的超50萬片，反映了在先進(jìn)制造中AI 應(yīng)用推動(dòng)的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求。設(shè)備支出方面，SEMI 預(yù)計(jì)先進(jìn)工藝設(shè)備支出2028 年將超500 億美元，2024 年-2028 年CAGR為18%。　　自主可控迫在眉睫，產(chǎn)業(yè)鏈充分受益：當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從上游的設(shè)備與材料到中游的半導(dǎo)體制造再到下游的先進(jìn)封裝，均致力于提升算力芯片的國(guó)產(chǎn)化率。沐曦股份表示，其在研訓(xùn)推一體產(chǎn)品曦云C600 正在基于國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈推進(jìn)。摩爾線程表示，正與國(guó)內(nèi)Foundry 聯(lián)合開發(fā)FinFET 工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），開展GPU 關(guān)鍵模塊的技術(shù)研發(fā)和流片驗(yàn)證，并聯(lián)合國(guó)內(nèi)封裝　　測(cè)試廠商，完成Chiplet 與2.5D 封裝（國(guó)產(chǎn)硅中介層）量產(chǎn)和測(cè)試，提升互聯(lián)密度、性能、降低功耗，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝測(cè)試國(guó)產(chǎn)化。盡管基于新工藝節(jié)點(diǎn)的新產(chǎn)品良率爬坡需要一定時(shí)間的積累，但隨著國(guó)產(chǎn)算力芯片及集群的性能通過軟件算法及硬件迭代逐步接近海外大廠，有望帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化新一輪結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。　　建議關(guān)注：北方華創(chuàng)、華海清科、中微公司、芯源微、拓荊科技、中科飛測(cè)、盛美上海、微導(dǎo)納米等。　　風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)與市場(chǎng)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，國(guó)際貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)，新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無法如期產(chǎn)業(yè)化風(fēng)險(xiǎn)，晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)。 【免責(zé)聲明】本文僅代表第三方觀點(diǎn)，不代表和訊網(wǎng)立場(chǎng)。投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)請(qǐng)自擔(dān)。

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