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4月8日午間，士蘭微(600460)披露公司碳化硅項目的最新進展。經過加快建設，第Ⅱ代SiC芯片生產線產能正在釋放。同時，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送樣，且預計今年將上量。

公告顯示，2024年，士蘭微加快推進“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線”項目的建設。截至目前，士蘭明鎵已形成月產9000片6英寸SiC MOS芯片的生產能力。基于公司自主研發的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊在4家國內汽車廠家累計出貨量5萬只，客戶端反映良好，隨著6英寸SiC芯片生產線產能釋放，已實現大批量生產和交付。

目前，士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術的開發，性能指標接近溝槽柵SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量。

同時，士蘭微還加快推進“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產線”項目的建設。截至2024年底，士蘭集宏8英寸SiC mini line已實現通線，公司Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上試流片成功，其參數與公司6英寸產品匹配，良品率明顯高于6英寸。士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，正在進行凈化裝修，預計將在2025年四季度實現全面通線并試生產，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。

據悉，士蘭微是國內少有的IDM(設計與制造一體)半導體企業，公司通過持續推出富有競爭力的產品，持續加大對大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場的拓展力度，加快產品結構調整的步伐，且取得積極成效。2024年，公司電路和器件成品的銷售收入中，已有超過75%的收入來自大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場。

此前披露的業績預告顯示，士蘭微預計2024年度實現歸母凈利潤為1.5億元到1.9億元，與上年同期相比，將實現扭虧為盈；預計扣非后凈利潤1.84億元到2.24億元，與上年同期相比，同比增加212.39%到280.31%。

士蘭微表示，當前，在國家政策持續支持，以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業快速發展、芯片國產替代進程明顯加快的大背景下，公司將加快實施“一體化”戰略，持續加大對模擬電路、功率半導體、MEMS傳感器，包括SiC、GaN在內的第三代化合物半導體等方面的投入，大力推進系統創新和技術整合，積極拓展汽車、新能源、工業、通訊、大型白電、電力電子等中高端市場，不斷提升產品附加值和產品品牌力，持續推動公司整體營收的較快成長和經營效益的提升，努力為國家集成電路產業發展做出貢獻。